[发明专利]减反膜及其制备方法在审
申请号: | 202211504467.0 | 申请日: | 2022-11-28 |
公开(公告)号: | CN115793111A | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 孙承啸 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G02B1/118 | 分类号: | G02B1/118;G02B1/11;G02F1/1335 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨瑞 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本申请实施例公开了一种减反膜及其制备方法,该减反膜包括基底、微结构层,微结构层设置于基底上,微结构层包括多个相互间隔设置的微结构,相邻微结构之间设置有凹孔,其中,凹孔的孔径及深度的范围为20nm至300nm;通过将凹孔的孔径及深度均设置为小于光波长,使光波无法识别微结构,于是折射率沿微结构垂直方向呈现梯度变化,形成折射率过渡层,从而减少折射率急剧变化所造成的反射现象,缓解了现有显示装置存在环境对比度低的技术问题。 | ||
搜索关键词: | 减反膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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