[发明专利]Si纳米线阵列-4H-SiC纳米线阵列、及其制备方法和在紫外光电探测器中的应用在审
| 申请号： | 202211505190.3 | 申请日： | 2022-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN115863479A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 丁利苹;曾佳豪;尉国栋;苏莹;娄瑞;唐妍;郭一锦;郭紫傲 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;G01J1/42;H01L31/0352;H01L31/028;H01L31/0312;H01L31/109;B82B3/00 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 崔瑞迎 |
| 地址： | 710021*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于光电技术领域，具体来说是Si纳米线阵列‑4H‑SiC纳米线阵列、及其制备方法和在紫外光电探测器中的应用，紫外光电探测器由下至上分别为金属电极、单晶Si基底、Si纳米线阵列、4H‑SiC纳米线阵列、金属电极，紫外光电探测器的制备包括以下步骤：(1)碳化硅与硅单晶片预处理；(2)碳化硅纳米线阵列的生长与转移；(3)硅纳米线阵列的生长；(4)硅纳米线阵列与碳化硅纳米线阵列的焊接制备紫外光电探测器；本发明的紫外光电探测器制备方法简单，成本低廉，通过Si‑4H‑SiC纳米线阵列形成的pn结结构具备较高的响应度，提升了光利用率，可大幅增加紫外光电探测器的探测性能。 | ||
| 搜索关键词： | si 纳米 阵列 sic 及其 制备 方法 紫外 光电 探测器 中的 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陕西科技大学，未经陕西科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211505190.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
