[发明专利]一种TOPCon电池掩膜方法在审
| 申请号： | 202211508708.9 | 申请日： | 2022-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN115719779A | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 安艳龙;王步峰;王强;陈斌 | 申请（专利权）人： | 尚义县荣登新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 076750 河北省张家口市*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 一种TOPCon电池掩膜方法，包括采用SE工艺进行激光掺杂的硅片，在氧化炉内形成氧化层掩膜，在硅片的激光掺杂面喷涂质量浓度为0.01%‑1%的硼酸溶液，硅片表面的硼酸溶液干燥后，在高温下向氧化炉内通入氧气，氧气进入氧化炉内之前在低温纯水瓶内水浴通过，使氧气携带水蒸气进入氧化炉内，在反应作用下，在硅片表面形成二氧化硅层，并在激光掺杂区域形成氧化层掩膜，其通过喷涂硼酸及氧气携带水蒸气进入氧化炉的工艺，大幅增加掩膜二氧化硅的生长速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 topcon 电池 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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