[发明专利]一种复合涂层包覆的硅基材料其制备方法和应用在审
申请号: | 202211511022.5 | 申请日: | 2022-11-30 |
公开(公告)号: | CN115747760A | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | 张斌;王政德;张俊彦 | 申请(专利权)人: | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;C23C16/32;C23C16/505;C23C14/35;C23C14/06;C23C28/04;H01M4/04 |
代理公司: | 兰州智和专利代理事务所(普通合伙) 62201 | 代理人: | 张英荷 |
地址: | 730000 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | 本发明公开了一种复合涂层包覆的硅基负极材料其制备方法,属于复材料领域及电化学领域。该方法首先采用射频等离子体增强化学气相沉积的方法在电极材料表面沉积SiOx/SiC保护层,随后采用非平衡磁控溅射的方法沉积类石墨碳功能层。本发明提供的制备方法解决了传统硅基负极电极粉末本征电导率低,在充放电过程中的体积膨胀严重,稳定性差的问题,所制备的复合涂层包覆的硅基负极材料在制备成锂离子半电池后,在500 mA g‑1的电流密度下进行测试,体积膨胀明显较小,稳定性增加,倍率性能和循环性能有所提高。另外,本发明制备工艺简单、成本低、污染小,具有广阔的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 复合 涂层 基材 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的