[发明专利]一种晶圆刻蚀清洗设备及方法在审
| 申请号： | 202211513686.5 | 申请日： | 2022-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN115732321A | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 方铭国;张少波 | 申请（专利权）人： | 深圳泰研半导体装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 宁波华拓同亿专利代理事务所(普通合伙) 33432 | 代理人： | 南梦怡 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区坪*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及晶圆刻蚀的技术领域，特别是涉及晶圆背面减薄金属化工艺的一种晶圆刻蚀清洗设备及方法，其提高镀膜膜层粘附性，减少晶圆变形量；包括以下步骤：步骤1、对晶圆无需金属镀膜的正面进行贴膜保护；步骤2、对晶圆需要金属镀膜的背面进行研磨；步骤3、通过真空等离子对研磨后的晶圆背面进行刻蚀，使晶圆背面表面粗糙化，同时降低应力；步骤4、对刻蚀后的晶圆进行清洗；步骤5、将清洗后的晶面正面保护膜揭除；步骤6、对刻蚀清洗后的晶圆背面进行金属镀膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 清洗 设备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
