[发明专利]一种低Te掺杂的InSb晶片及其制备

摘要

本发明涉及电子信息技术领域，具体涉及一种低Te、As掺杂InSb晶片的制备方法，所述InSb原料为ω(InSb)≥99.99％的InSb多晶柱，所述Te掺杂量为5×1015cm‑3‑5×1020cm‑3。本发明采用直拉法(Cz)生长了不同Te掺杂量的InSb:Te晶体，结合了Te原子与Sb原子大小相近、价电子壳层结构也接近、替代Sb的位置起施主作用，通过调节Te的掺杂量，使得InSb:Te晶体在300K下的导电类型为N型、电阻率减小，迁移率提高。同时Te掺杂使晶体透过率降低，带隙变宽，吸收截止波长向短波方向移动，能很好满足红外探测的需求。