[发明专利]PbS量子点敏化TiO2在审

专利信息
申请号: 202211514430.6 申请日: 2022-11-29
公开(公告)号: CN115963155A 公开(公告)日: 2023-04-14
发明(设计)人: 李笑玮;乔梁;刘一新;夏鹏飞;王康;黄定旺 申请(专利权)人: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
主分类号: G01N27/30 分类号: G01N27/30;G01N27/48;G01N21/64
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 唐莉梅
地址: 313000 浙江省湖州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明属于原位电化学光谱测试技术领域,公开了一种PbS量子点敏化TiO2薄膜电极、制备方法及测试系统,PbS量子点敏化TiO2薄膜电极为局域表面等离激元增强的PbS量子点敏化TiO2半导体薄膜电极,PbS量子点敏化TiO2薄膜电极包括在导电玻璃上依序层叠排列的宽禁带半导体层、金属纳米颗粒、宽禁带半导体层以及单层量子点。本发明的测试方法利用局域表面等离激元的增强电磁场,提高其周围量子点对光的吸收效率、增加量子点产生的电子空穴对的数量,实现了光致发光强度和光电流密度的增强。本发明的测试方法通过控制薄膜电极的电化学电势,可以同步控制量子点光生电子空穴对的复合与分离,进而调控光致发光强度和光电流密度。
搜索关键词: pbs 量子 点敏化 tio base sub
【主权项】:
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