[发明专利]一种碲锌镉衬底的重复利用方法在审
| 申请号： | 202211521174.3 | 申请日： | 2022-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN115799100A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 王琰璋;侯晓敏;李轩;柏伟;徐晓婷 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/304;H01L21/306 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 焉明涛 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请的实施例揭示了一种碲锌镉衬底的重复利用方法，方法包括：对待重复利用碲锌镉衬底进行厚度检测，得到所述待重复利用碲锌镉衬底的厚度；将所述待重复利用碲锌镉衬底粘接到载片上；将粘接有所述待重复利用碲锌镉衬底的所述载片固定在金刚石砂轮减薄装置的载片台上，通过所述金刚石砂轮减薄装置根据所述待重复利用碲锌镉衬底的厚度对所述待重复利用碲锌镉衬底进行减薄加工；对加工完成的所述待重复利用碲锌镉衬底进行抛光，实现对所述待重复利用碲锌镉衬底的重复利用。本方法能够实现碲锌镉衬底的重复利用与再利用，提高碲锌镉衬底的利用率，提高重复利用效率及重复利用衬底质量控制一致性。在碲锌镉单晶生长难度大、加工难度大的情况下可以有效节约成本与资源。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碲锌镉 衬底 重复 利用 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
