[发明专利]一种用于使硅片中的大级别缺陷显现的方法和系统在审
| 申请号： | 202211523234.5 | 申请日： | 2022-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN115910776A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 徐鹏 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 | 代理人： | 姚勇政;王渝 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种用于硅片中的大级别缺陷显现的方法和系统，所述方法包括：使金属离子沾附在所述硅片的表面；对所述硅片进行第一热处理以使所述金属离子固溶在所述硅片中，其中，固溶的所述金属离子在所述大级别缺陷的高活跃性的作用下聚集在所述大级别缺陷处；对所述硅片进行第二热处理以使所述金属离子析出并由此在所述大级别缺陷处提供应力；对所述硅片进行第三热处理以使所述硅片中的大级别缺陷在所述应力的作用下扩展。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 硅片 中的 级别 缺陷 显现 方法 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
