[发明专利]用于磁阻随机存取存储器的磁阻存储器元件在审
| 申请号： | 202211531856.2 | 申请日： | 2022-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN116234416A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | D.阿帕尔科夫;R.切普尔斯基 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10N50/80 | 分类号： | H10N50/80;H10N50/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种磁阻隧道结(MTJ)存储器元件，包括磁性参考层(RL)、磁性自由层(FL)、在磁性RL和磁性FL之间延伸的隧穿势垒层、以及在磁性FL上延伸的扩散阻挡层(DBL)。扩散阻挡层包括从由铋(Bi)、锑(Sb)、锇(Os)、铼(Re)、锡(Sn)、铑(Rh)、铟(In)和镉(Cd)组成的组中选择的至少一种材料。氧化物层也提供在DBL上。氧化物层可以包括锶(Sr)、钪(Sc)、铍(Be)、钙(Ca)、钇(Y)、锆(Zr)和铪(Hf)中的至少一种。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 磁阻 随机存取存储器 存储器 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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