[发明专利]消除环栅纳米片沟道损伤的方法在审
| 申请号： | 202211533951.6 | 申请日： | 2022-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN115763539A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 周娜;李俊杰;高建峰;杨涛;李俊峰;罗军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 苑晨超 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种消除环栅纳米片沟道损伤的方法，方法包括：在衬底上依次交替形成两个以上的沟道层和一个以上的牺牲层，以形成沟道叠层；在衬底上形成跨沟道叠层的假栅，并在假栅的表面形成第一侧墙；对牺牲层进行刻蚀，以在沟道叠层的侧表面上形成内凹结构，并在内凹结构内形成第二侧墙；在沟道叠层的两侧分别制备源极和漏极；当沟道叠层中的沟道层与假栅接触时，对假栅和相邻的沟道层进行刻蚀，直至牺牲层暴露；再对牺牲层进行刻蚀，以形成环栅制备空间；在环栅制备空间内制备环形的金属栅，以形成环栅器件。本发明提供的消除环栅纳米片沟道损伤的方法，能够有效的消除环栅器件中的纳米片沟道损伤，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 消除 纳米 沟道 损伤 方法 | ||
【主权项】：
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