[发明专利]AlGaN基紫外LED外延结构、LED及其制备方法在审
| 申请号： | 202211540734.X | 申请日： | 2022-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN115842079A | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 舒俊;张彩霞;程金连;刘春杨;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 陈冬莲 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： |
本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种AlGaN基紫外LED外延结构、LED及其制备方法，该外延结构包括衬底及外延层，所述外延层包括沿外延方向依次生长的N型半导体层、低温应力释放层、有源区发光层、电子阻挡层、p型渐变AlGaN空穴注入层及p型接触层；所述p型渐变AlGaN空穴注入层的Al组分含量沿外延方向递减，且所述p型渐变AlGaN空穴注入层掺杂有Mg，其中，Mg的掺杂浓度沿外延方向递增；所述p型接触层为低掺杂Al、高掺杂Mg的Al |
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| 搜索关键词： | algan 紫外 led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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