[发明专利]半导体存储器件在审
| 申请号： | 202211547941.8 | 申请日： | 2022-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN116249347A | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 李基硕;姜泰逵;金根楠;朴成珉;安泰炫;李常铉;张殷硕;郑文泳;郑义撤;崔贤根 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件包括：字线，平行于半导体基板的顶表面延伸；沟道图案，与字线交叉并具有平行于所述顶表面的长轴；位线，垂直于所述顶表面延伸并与沟道图案的第一侧表面接触；以及数据存储元件，与沟道图案的与第一侧表面相反的第二侧表面接触。沟道图案包括与位线相邻的第一掺杂区域、与数据存储元件相邻的第二掺杂区域以及在第一掺杂区域和第二掺杂区域之间并与字线重叠的沟道区域。第一掺杂区域和第二掺杂区域中的至少一个包括与沟道区域相邻的低浓度区域和与沟道区域间隔开的高浓度区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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