[发明专利]一种GaN基HEMT及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202211554953.3 | 申请日： | 2022-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN115939188A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 李国强;罗玲;吴能滔 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 齐键 |
| 地址： | 510641 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基HEMT及其制备方法和应用。本发明的GaN基HEMT的组成包括依次层叠设置的衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和钝化层，还包括源极、栅极、漏极和GaN帽层，源极、栅极和漏极中至少有一个设置有场板。本发明的GaN基HEMT的制备方法包括以下步骤：1)在衬底上依次外延生长GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和GaN帽层；2)沉积钝化层；3)沉积源极和漏极；4)沉积栅极；5)沉积场板。本发明的GaN基HEMT具有击穿电压大、稳定性和可靠性高等优点，且其制备方法简单、可行性高、可重复性高，适合在高温、高压条件下的大功率应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan hemt 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学，未经华南理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211554953.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
