[发明专利]长晶用高纯碳化硅合成粉的合成装置及合成方法在审
| 申请号： | 202211555155.2 | 申请日： | 2022-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN115874283A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 李卫月;陈俊宏;吴亚娟 | 申请（专利权）人： | 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/14 | 分类号： | C30B28/14;C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 221000 江苏省徐州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种长晶用高纯碳化硅合成粉的合成装置及合成方法，装置包括：碳源坩埚，用于盛放碳源；硅源坩埚，用于盛放硅源，硅源坩埚与碳源坩埚并列设置；合成坩埚，合成坩埚内部限定形成密封的腔体，合成坩埚位于碳源坩埚和硅源坩埚的上方，碳源坩埚和硅源坩埚分别通过导流管与腔体连通；反应器，反应器固定于腔体的顶部，反应器上开设有多个合成孔，合成孔内设有诱发结晶的多晶碳化硅颗粒，碳源和硅源升华的碳源蒸气和硅源蒸气分别通过导流管进入到腔体内，在合成孔内反应结晶，合成碳化硅多晶。本发明通过碳粉与硅粉的升华，利用碳化硅多晶颗粒做诱发结晶的种子，在反应器的合成孔中结晶，减少合成之后的工艺步骤，提高合成效率。 | ||
| 搜索关键词： | 长晶用 高纯 碳化硅 合成 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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