[发明专利]一种降低互耦效应的多级子阵扩展嵌套阵设计方法在审
申请号: | 202211556681.0 | 申请日: | 2022-12-06 |
公开(公告)号: | CN115859546A | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
发明(设计)人: | 陈华;林洪光;王刚 | 申请(专利权)人: | 宁波大学 |
主分类号: | G06F30/18 | 分类号: | G06F30/18;G06F17/16 |
代理公司: | 宁波甬致专利代理有限公司 33228 | 代理人: | 高瑞霞 |
地址: | 315021 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: |
本发明涉及一种降低互耦效应的多级子阵扩展嵌套阵设计方法,该方法为:确定增广多级扩展嵌套阵列的阵元之间的单位长度;确定增广多级扩展嵌套阵列的阵列参数;设定增广多级扩展嵌套阵列为 |
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搜索关键词: | 一种 降低 效应 多级 扩展 嵌套 设计 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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