[发明专利]一种降低互耦效应的多级子阵扩展嵌套阵设计方法在审

专利信息
申请号: 202211556681.0 申请日: 2022-12-06
公开(公告)号: CN115859546A 公开(公告)日: 2023-03-28
发明(设计)人: 陈华;林洪光;王刚 申请(专利权)人: 宁波大学
主分类号: G06F30/18 分类号: G06F30/18;G06F17/16
代理公司: 宁波甬致专利代理有限公司 33228 代理人: 高瑞霞
地址: 315021 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种降低互耦效应的多级子阵扩展嵌套阵设计方法,该方法为:确定增广多级扩展嵌套阵列的阵元之间的单位长度;确定增广多级扩展嵌套阵列的阵列参数;设定增广多级扩展嵌套阵列为所述增广多级扩展嵌套阵列由一个均匀稀疏阵列ULA(0)、X个间距为2d的均匀阵列ULA(x.1)以及X个间距为2d的均匀阵列ULA(x.2)组成;增广多级扩展嵌套阵列采用差分阵列产生连续虚拟阵元,本发明通过拓展出许多个相同的密集均匀阵列,并设定好密集均匀阵列之间的间距,并对密集均匀阵列的部分阵元相较于ULA(0)进行对称迁移,使得在满足差分无孔的条件下,相较于原始的嵌套阵列获得更高的自由度,且极大的减小了阵元间互耦影响。
搜索关键词: 一种 降低 效应 多级 扩展 嵌套 设计 方法
【主权项】:
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