[发明专利]闪存器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202211557456.9 | 申请日： | 2022-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN116193859A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 朱景润;沈思杰;刘宪周 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H10B41/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑星 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种闪存器件及其制造方法，在衬底上依次形成浮栅层、层间介质层、控制栅层和具有开口的硬掩膜层，并在开口的侧壁上形成第一侧墙；去除开口暴露的控制栅层及其下方的层间介质层，控制栅层的靠近第一侧墙的顶角处存在突起；形成表面平整的隔离层，所述隔离层至少覆盖第一侧墙表面、突起和控制栅层的靠近开口一侧的侧壁；形成覆盖隔离层的第二侧墙；去除开口暴露的浮栅层，并在开口内形成字线；去除硬掩模层及其下方的控制栅层、层间介质层和浮栅层，以形成控制栅和浮栅。本发明通过在突起上形成表面平整的隔离层，减少或避免第二侧墙出现厚度不均匀或断开的情况，拓宽了后续工艺的工艺窗口，改善了字线与控制栅之间的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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