[发明专利]LDMOS结构及其设计版图、制造方法在审
| 申请号： | 202211566298.3 | 申请日： | 2022-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN115832009A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 段文婷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78;H01L21/336;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张英英 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种LDMOS结构及其设计版图、制造方法，结构包括：半导体衬底；第一掺杂类型的埋层，位于所述半导体衬底内；第二掺杂类型的阱区，位于所述埋层内；全包围所述阱区的第一掺杂类型的漏区，位于所述埋层内；其中，在平行于所述LDMOS结构的沟道方向上，位于所述漏区内的埋层被非掺杂埋区间隔为两部分；在垂直于所述LDMOS结构的沟道方向上，所述非掺杂埋区分别与所述漏区的内侧齐平。本发明可以有效改善器件的BV，提高半导体器件的品质。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 结构 及其 设计 版图 制造 方法 | ||
【主权项】：
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