[发明专利]一种光控电容型铁电存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202211568188.0 | 申请日： | 2022-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN115589774B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 周久人;刘艳;刘宁;韩根全;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学杭州研究院 |
| 主分类号： | H10N97/00 | 分类号： | H10N97/00;H10B53/30 |
| 代理公司： | 杭州汇和信专利代理有限公司 33475 | 代理人： | 吴琰 |
| 地址： | 311231 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光控电容型铁电存储器，包括自下而上依次设置的底电极、半导体层、铁电介质层、顶电极；所述半导体层的耗尽层电容状态代表了铁电存储器的存储信息；所述顶电极施加电压，半导体层中的载流子数量受光照调控与铁电介质层中的极化电荷相互响应，并改变半导体层的耗尽层电容状态。本发明利用光电调控铁电介质层的电极化状态，进而编辑半导体层的耗尽层电容状态，通过半导体层的耗尽层电容状态表征铁电存储器的存储信息，从而使存储器具有光信号感知功能和信息存储功能，且该存储器为电容型存储器，具有零静态功耗的显著优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光控 电容 型铁电 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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