[发明专利]一种纳米材料修饰的神经电极及制备方法在审
| 申请号： | 202211579165.X | 申请日： | 2022-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN115813399A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 张晓东;刘爽杰;王洋;王浩 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | A61B5/293 | 分类号： | A61B5/293;A61B5/265;A61B5/268;A61B5/263;C25D9/04;C25D5/10 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 陆艺 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米材料修饰的神经电极及制备方法，制备方法为：对神经电极的记录位点表面进行粗糙化处理及清洗，干燥得到工作电极，以浓度0.5‑10mg/mL的纳米材料水溶液为电沉积工作液放入电解池中，对神经电极的记录位点进行表面修饰，选择电化学沉积方式进行沉积，沉积层数1‑10层，获得一种纳米材料修饰的神经电极。本发明的方法，利用纳米材料对神经电极记录位点进行修饰，除了将纳米材料本身的物化特性引入电极界面外，还使电极表面具有可控的微纳米结构从而拥有大的有效反应面，提高神经电极的电化学性能及检测灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 材料 修饰 神经 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
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