[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202211583306.5 | 申请日： | 2022-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN116031163A | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 吴家伟;童宇诚 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L21/44;H01L29/10;H01L29/786;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，包括一第一堆叠通道层，包括相对的第一面和第二面。一第一栅极结构，位于所述第一堆叠通道层的所述第一面上。一第一栅极介质层，位于所述第一栅极结构与所述第一堆叠通道层之间。一第二堆叠通道层，位于所述第一栅极介质层与所述第一堆叠通道层之间，其中一金属成分于所述第二堆叠通道层的浓度大于所述金属成分于所述第一堆叠通道层的浓度，借此可同时获得稳定的阀值电压和提高的载子迁移率，进一步改善元件效能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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