[发明专利]一种螺旋波等离子体束辅助磁控溅射装置在审
| 申请号： | 202211586408.2 | 申请日： | 2022-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN115821223A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 季佩宇;吴雪梅;黄天源;谭海云;陈佳丽;李茂洋 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/14 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 姚惠菱 |
| 地址： | 215000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了螺旋波等离子体束辅助磁控溅射装置，包括反应区腔体，发生器、真空发生器、磁控溅射装置、沉积装置、电磁铁装置和充气装置，沉积装置包括一可在所述发生器和真空发生器之间摆动的摆动杆，以及可360°旋转地设置在所述摆动杆的自由端上的沉积台。本发明的有益效果是：将高参数螺旋波等离子体与磁控溅射相结合，综合了螺旋波等离子体高电离率可控参数的优势和磁控溅射稳态溅射的优势，无需高温高压的条件下制备高性能C/Si基纳米功能材料；并解决了溅射过程中的散热、溅射均匀度等问题，通过多路气体输送通道送入放电气体，反应气体或稀释气体，优化气相反应，有助于增强反应活性，提升成膜基团浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 螺旋 等离子体 辅助 磁控溅射 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州大学，未经苏州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211586408.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
