[发明专利]一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管制造方法及器件有效
| 申请号： | 202211589003.4 | 申请日： | 2022-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN115588616B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 杨国江;于世珩;李瑶 | 申请（专利权）人： | 江苏长晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 奚铭 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市中国（江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管制造方法及器件，在制造增强型器件的外延结构时进行两次MOCVD外延，一次外延在AlGaN层上外延有一层GaN Cap层，蚀刻掉栅极区域的GaN Cap层以及部分AlGaN层，使得栅极区域的AlGaN层的厚度小于其他区域的AlGaN层，然后再次外延P‑GaN层，形成增强型器件的外延结构，再制造钝化层及漏源栅电极，得到增强型器件。本发明能消除现有P‑Gate HEMT器件制造工艺中，P‑GaN掺杂过程中Mg元素扩散对器件的不利影响，有利于保障并提升增强型器件阈值电压，提升器件导通性能及器件的饱和电流的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 氮化 电子 迁移率 晶体管 制造 方法 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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