[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质在审
| 申请号： | 202211594807.3 | 申请日： | 2022-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN116313886A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 小玉辉彦;大石雄三;松田义隆 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683;B32B38/10 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;池兵 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供能够不对基片的正面侧进行不需要的处理，而在该基片的整个背面进行光照射将有机物除去的基片处理装置、基片处理方法和存储介质。基片处理装置包括：基片保持部，其能够以与基片的背面局部地重叠的方式保持所述基片；光照射部，其能够对所述基片的背面照射光，来将所述背面的有机物除去；在所述基片的背面侧与该背面隔开间隔地设置的遮光部件，其能够防止所述光被供给到所述基片的正面；和保持位置改变机构，其能够改变所述基片的背面的由所述基片保持部保持的位置，来对所述基片的整个背面照射光。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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