[发明专利]具有分三层的单元设计的静态随机存取存储器器件在审
| 申请号： | 202211597058.X | 申请日： | 2022-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN116261322A | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | C·惠耿巴尔特;T·施拉姆;I·拉杜 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | H10B10/00 | 分类号： | H10B10/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 蔡悦;杨洁 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开一般涉及静态随机存取存储器(SRAM)器件。具体地，本公开提出了具有分三层的SRAM单元设计的SRAM器件。SRAM单元包括包含四个存储晶体管的存储，并且包括两个存取晶体管以控制对存储单元的存取。SRAM单元还包括三层结构的堆叠。存储晶体管中的两个被形成在堆叠的第一层结构中，存储晶体管中的另外两个被形成在该堆叠的与第一层结构相邻的第二层结构中。两个存取晶体管被形成在该堆叠的与第二层结构相邻的第三层结构中。每一层结构包括半导体材料，层结构中的晶体管基于该半导体材料，并且三层结构中的至少两层包括不同类型的半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 三层 单元 设计 静态 随机存取存储器 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于IMEC非营利协会，未经IMEC非营利协会许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211597058.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
