[发明专利]将硅磷合金用于重掺磷硅单晶生长掺杂的使用方法在审
| 申请号： | 202211603799.4 | 申请日： | 2022-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN116043319A | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 沈益军;潘金平;肖世豪;杨国梁;王伟棱;张立安;饶伟星;郑欢欣;赵亮;冯小娟 | 申请（专利权）人： | 海纳半导体（山西）有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/06 | 分类号： | C30B11/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 温州青科专利代理事务所(特殊普通合伙) 33390 | 代理人： | 姜青松 |
| 地址： | 030032 山西省太原市山西转型综合改*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及直拉硅单晶生长技术领域，具体地说，涉及将硅磷合金用于重掺磷硅单晶生长掺杂的使用方法。包括：设计新型石英舟；制备特定重量的高磷含量的硅磷合金；将硅磷合金连同新型石英舟一起清洗后放置在石英坩埚底部中央；将新型石英舟置于热区中央；将热区上升至设定温度并保持恒温一段时间；升温至熔化完成。本发明设计可将硅磷合金连同石英舟一起直接用于重掺磷硅单晶生长掺杂，不需分离两者；可以精准计算出所需硅磷合金的重量，便于控制磷含量；将石英舟置于热区中央，辅以特定升温工艺，可以实现石英舟与石英坩埚完全粘连，不会漂浮至液面；使用石英舟可以增加硅熔液和石英的接触面积，有利于提高重掺磷硅单晶氧含量。 | ||
| 搜索关键词： | 将硅磷 合金 用于 重掺磷硅单晶 生长 掺杂 使用方法 | ||
【主权项】：
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