[发明专利]一种InAs基InGaAs/InAsSb超晶格nBn型红外探测器材料

摘要

本发明属于半导体材料领域，具体涉及一种InAs基InGaAs/InAsSb超晶格nBn型红外探测器材料。该红外探测器材料包括依次设置的InAs缓冲层、下接触层、吸收层、势垒层、过渡层和上接触层；所述下接触层和上接触层采用N型InxGa1‑xAs/InAsySb1‑y超晶格材料，所述吸收层和过渡层采用非故意掺杂InxGa1‑xAs/InAsySb1‑y超晶格材料。本发明能够用更薄的超晶格周期厚度达到相同的红外吸收截止波长，从而获得更高的量子效率和探测器性能；能够通过超晶格材料中各自组分来调控红外吸收截止波长，为该结构增加了额外的调节维度，极大提高了结构设计与外延生长方面的灵活性。