[发明专利]一种InAs基InGaAs/InAsSb超晶格材料及其生长方法和应用

摘要

本发明属于半导体材料领域，具体涉及一种InAs基InGaAs/InAsSb超晶格材料及其生长方法和应用。该超晶格材料包括依次堆叠的若干InxGa1‑xAs/InAsySb1‑y超晶格原胞，其中，0＜x＜1，0＜y＜1；所述InxGa1‑xAs/InAsySb1‑y超晶格原胞包括一层InxGa1‑xAs材料和一层InAsySb1‑y材料。本发明超晶格材料可用于中波红外光电器件，通过改变超晶格原胞内各层厚度与组分可使其红外吸收截止波长在3‑7μm范围内调节，材料晶体质量优异，缺陷密度低，可获得较高光电性能。