[发明专利]一种多源高压气体雾化的垂直结构Mist-CVD设备在审
| 申请号： | 202211616685.3 | 申请日： | 2022-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN116145249A | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 张泽雨林;张春福;陈大正;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B25/14 | 分类号： | C30B25/14;C23C16/455 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 辛菲 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多源高压气体雾化的垂直结构Mist‑CVD设备包括：连接的雾化颗粒生成装置和反应装置，雾化颗粒生成装置和反应装置呈竖直结构设置；雾化颗粒生成装置包括高压气体发生室和多个前驱溶液储存腔室，反应装置包括反应腔室；其中，高压气体发生室内存储有高压气体或设置有气体增压设备以提供高压气体；前驱溶液储存腔室用于存储前驱溶液；高压气体进入第一管路后与进入第一管路的前驱溶液接触，前驱溶液在高压气体作用下进行雾化得到雾化颗粒，雾化颗粒通过第一管路进入反应腔室内反应生长得到半导体薄膜。本发明的Mist‑CVD设备避免了水平结构Mist‑CVD设备在薄膜成型过程中出现的薄膜均匀性不足的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 气体 雾化 垂直 结构 mist cvd 设备 | ||
【主权项】：
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