[发明专利]一种具有应力缓冲槽的超低压压力芯体及其制备方法在审
| 申请号： | 202211621815.2 | 申请日： | 2022-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN115876378A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 唐焕新;卜献宝;赵恺;胡振朋;孙俊杰 | 申请（专利权）人： | 明石创新（烟台）微纳传感技术研究院有限公司;明石创新产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | G01L9/04 | 分类号： | G01L9/04;C01B33/02 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 马国冉 |
| 地址： | 264006 山东省烟台市经济*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及压力芯体技术领域，具体公开了一种具有应力缓冲槽的超低压压力芯体及其制备方法，包括芯体主体和连接在芯体主体底部的基板；芯体主体包括硅晶圆支撑基底和客制化的SOI晶圆，客制化的SOI晶圆上设有空腔，客制化的SOI晶圆上设有悬于空腔上的敏感膜，敏感膜上设有通过刻蚀形成的边缘内凹的四瓣型梁膜结构；四瓣型梁膜结构边缘处设有压阻区域，敏感膜边侧设有引线区域；硅晶圆支撑基底中部设有气孔，硅晶圆支撑基底底部设有缓冲槽；本发明中采用边缘内凹的四瓣型梁膜结构设计，增加压阻区域的应力集中度和均一度；采用客制化带空腔的SOI晶圆，降低了制备工艺的复杂度；采用硅晶圆，大大降低了键合其他非硅基材料所带来的热应力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 应力 缓冲 低压 压力 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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