[发明专利]一种低噪声、高响应Ga2

摘要

一种低噪声、高响应Ga2O3基雪崩光电二极管(APD)及其制备方法，属于属于半导体光电探测器技术领域。依次由p‑Si衬底、低厚度n‑Ga2O3薄膜、高厚度UID‑Ga2O3薄膜、n+‑Ga2O3欧姆接触层、欧姆接触电极组成，薄膜外延全部由MOCVD工艺而成。本发明能够实现低噪声、高响应的Ga2O3基SAM‑APD制备，可以在mm2数量级的器件面积下，实现～104A/W的响应度。本发明克服了目前水平结构Ga2O3紫外探测器电流密度较低、响应低、工艺复杂的问题，能够有效提高Ga2O3紫外探测器的响应度，进而促进其实际应用。