[发明专利]等离子体工艺制程监测方法及其监测系统在审
| 申请号： | 202211641013.8 | 申请日： | 2022-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN115799026A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 陆祺峰;沈唐尧;贺晓龙;崔靖;殷海玮;方源 | 申请（专利权）人： | 上海复享光学股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/244 | 分类号： | H01J37/244;H01J37/302;H01L21/3065;G01N21/31;G06F18/10;G06F18/2131 |
| 代理公司： | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人： | 宋小光 |
| 地址： | 200433 上海市杨浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种等离子体工艺制程监测方法及其监测系统，包括：将电动光阑装置安装于入射狭缝与光学探头之间；在刻蚀时，实时采集光源的光谱信号，调节透光孔的尺寸，使光谱信号的像素响应值控制在像素饱和阈值范围内；将光谱信号通过傅里叶变换转换成频域信号；通过寻峰算法结合窗函数对频域光谱信号进行频域滤波；将滤波后的频域信号通过傅里叶逆变换转换成时域信号；从时域信号中提取出特定波长反射光的干涉信号；计算出刻蚀速率和当前刻蚀深度；在当前刻蚀深度等于预设刻蚀终点深度时，发送到达刻蚀终点的提醒信息。本发明能够避免光谱信号过曝，通过将背景光信号滤去以获取更准确的刻蚀速率和刻蚀深度，提高等离子体工艺制程监测的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 工艺 监测 方法 及其 系统 | ||
【主权项】：
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