[发明专利]用于避免晶圆减薄抛光造成金属污染的方法在审
| 申请号： | 202211641306.6 | 申请日： | 2022-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN115972079A | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 成明;赵东旭;王云鹏;王飞;范翊;姜洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | B24B37/10 | 分类号： | B24B37/10;B24B7/22;B24B57/02;B24B55/06;B24B37/005;B24B49/00 |
| 代理公司： | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人： | 郭婷 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于避免晶圆减薄抛光造成金属污染的方法，将CMP设备停止冲洗并擦拭干净；在CMP设备的head头的外表面设置UV隔热膜；除pad、研磨液喷头和去离子水喷头外，CMP设备中其它直接裸露部件的外表面均设置UV保护膜；减薄抛光时，将排风扇调至最大风速；对含异种金属的晶圆减薄抛光时，利用UV灯对UV隔热膜和UV保护膜进行照射，使其失去粘性并撕掉，更换减薄抛光垫并重新贴膜。本发明采用UV隔热膜和UV保护膜进行保护，使得在进行含不同金属的晶圆减薄抛光时，只需要更换UV隔热膜和UV保护膜即可，不会出现因CMP设备自身残留吸附的金属粒子而导致将要进行减薄抛光的异种晶圆受到其它金属离子污染的现象，避免了晶圆出现缺陷甚至功能损失的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 避免 晶圆减薄 抛光 造成 金属 污染 方法 | ||
【主权项】：
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