[发明专利]基于氟化聚苯乙烯的有机双极性晶体管存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 202211643125.7 | 申请日： | 2022-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN115968208A | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 朱远惟;江以航;李盛涛;鲁广昊 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H10K10/46 | 分类号： | H10K10/46;H10K85/10;H10K71/12;H10K71/16;H10K71/40;C23C14/24;C23C14/20 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 闵岳峰 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明基于氟化聚苯乙烯的有机双极性晶体管存储器及其制备方法，该存储器从上至下依次包括源漏电极、聚合物驻极体材料氟化聚苯乙烯与半导体共混层、栅极绝缘层、衬底及形成于该衬底之上的栅电极。本发明首次将氟化聚苯乙烯材料作为驻极体介电材料应用到双极性有机场效应晶体管存储器中。利用氟化聚苯乙烯材料强驻留电荷能力这一特点，采用氟化聚苯乙烯作为有机双极性晶体管存储器的电荷存储材料，相比于现有的驻极体双极性晶体管存储器，增强了存储性能。同时，氟化聚苯乙烯材料形成的驻极体产生非均匀补偿电位修饰半导体层电荷传输特性，在单一器件上实现状态可逆切换的n型和p型电荷传输性能的同时，提升了器件的迁移率和开关比。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氟化 聚苯乙烯 有机 极性 晶体管 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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