[发明专利]一种基于概率物理的MOS场效应管寿命快速预测方法在审
| 申请号： | 202211651016.X | 申请日： | 2022-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN116306449A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 孙权;冯静 | 申请（专利权）人： | 湖南银杏可靠性技术研究所有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/39 | 分类号： | G06F30/39;G06F111/08;G06F119/02;G06F119/08;G06F119/14 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 符继超 |
| 地址： | 410100 湖南省长沙市长沙经济技术*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于概率物理的MOS场效应管寿命快速预测方法，通过MOS场效应管高温加速试验，缩短试验时间，定时获取MOS场效应管的导通阻抗数据，为MOS场效应管使用寿命的评估提供充足的数据，针对数据特点，分别采用加速退化建模和加速寿命建模的方法，对导通阻抗数据进行数学分析，预测MOS场效应管在正常工作应力下的使用寿命，为集成电路生产商的元器件选型提供数据支撑。在保证集成电路整体的可靠性水平的前提下控制集成电路的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 概率 物理 mos 场效应 寿命 快速 预测 方法 | ||
【主权项】：
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