[发明专利]一种半导体硅晶圆粗抛光液配方及生产工艺在审
申请号: | 202211651533.7 | 申请日: | 2022-12-21 |
公开(公告)号: | CN116445083A | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
发明(设计)人: | 冯茂森 | 申请(专利权)人: | 江苏芯诺半导体科技有限公司 |
主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02;H01L21/02 |
代理公司: | 南京常青藤知识产权代理有限公司 32286 | 代理人: | 曹帅 |
地址: | 224700 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明涉及硅晶圆抛光液制备技术领域,具体公开了一种半导体硅晶圆粗抛光液配方及生产工艺,包括:有机硅消泡剂,三价铬离子、氨基酸、氟离子、分散剂、碱粉、碳化硅粉末、抗氧化剂、加水;有益效果为:通过在溶液中加入三价铬离子和氨基酸,使得抛光后的硅晶圆表面具有蓝白色泽,从而提高表面光泽度,在溶液中加入碳化硅粉末,用于提高二氧化硅抛光液的抛光效率,且不会增加晶圆损伤。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 硅晶圆粗 抛光 配方 生产工艺 | ||
【主权项】:
暂无信息
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