[发明专利]一种半导体硅晶圆粗抛光液配方及生产工艺在审

专利信息
申请号: 202211651533.7 申请日: 2022-12-21
公开(公告)号: CN116445083A 公开(公告)日: 2023-07-18
发明(设计)人: 冯茂森 申请(专利权)人: 江苏芯诺半导体科技有限公司
主分类号: C09G1/02 分类号: C09G1/02;H01L21/02
代理公司: 南京常青藤知识产权代理有限公司 32286 代理人: 曹帅
地址: 224700 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明涉及硅晶圆抛光液制备技术领域,具体公开了一种半导体硅晶圆粗抛光液配方及生产工艺,包括:有机硅消泡剂,三价铬离子、氨基酸、氟离子、分散剂、碱粉、碳化硅粉末、抗氧化剂、加水;有益效果为:通过在溶液中加入三价铬离子和氨基酸,使得抛光后的硅晶圆表面具有蓝白色泽,从而提高表面光泽度,在溶液中加入碳化硅粉末,用于提高二氧化硅抛光液的抛光效率,且不会增加晶圆损伤。
搜索关键词: 一种 半导体 硅晶圆粗 抛光 配方 生产工艺
【主权项】:
暂无信息
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