[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202211654714.5 | 申请日： | 2022-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN115939184A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 樊永辉;朱雷;刘国梁;吴先民 | 申请（专利权）人： | 深圳市汇芯通信技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/205 | 分类号： | H01L29/205;H01L29/20;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 张玲玲 |
| 地址： | 518037 广东省深圳市福田区华富街道莲*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本申请提供了一种半导体结构及其制备方法。所述半导体结构包括衬底及位于所述衬底上的异质结结构。所述异质结结构包括沟道层及位于所述沟道层背离所述衬底一侧的势垒层；所述沟道层的材料为Al |
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| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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