[发明专利]一种室温制备二维钙钛矿薄膜的方法以及产品在审
申请号: | 202211656437.1 | 申请日: | 2022-12-22 |
公开(公告)号: | CN115835748A | 公开(公告)日: | 2023-03-21 |
发明(设计)人: | 吴聪聪;刘思雯;明逸东;任立志;金博文;李静;王世敏 | 申请(专利权)人: | 湖北大学 |
主分类号: | H10K71/15 | 分类号: | H10K71/15;H10K85/50;H10K30/30;H10K30/50 |
代理公司: | 武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267 | 代理人: | 王世芳;梁鹏 |
地址: | 430062 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供一种室温制备二维钙钛矿薄膜的方法以及产品,属于二维钙钛矿薄膜制备领域,具体公开一种无反溶剂与无后退火处理的、基于室温制备二维钙钛矿薄膜的方法,包括以下步骤:将原料均匀混合后静置于甲胺分子气氛中,经熏蒸形成钙钛矿中间体;在无水无氧环境中,将钙钛矿中间体溶解于高挥发性的极性溶剂乙腈中得到钙钛矿前驱体;将钙钛矿前驱体涂覆于旋转中的衬底表面,自然结晶干燥,获得均匀分散形成二维钙钛矿薄膜。本发明还提供一种根据上述制备方法获得的二维钙钛矿薄膜,其晶粒均匀,晶体垂直排列。本发明在保证了载流子传输效率的同时简化了制备工艺,为钙钛矿光吸收层的实际制备提供了新方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 室温 制备 二维 钙钛矿 薄膜 方法 以及 产品 | ||
【主权项】:
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