[发明专利]一种太阳电池及其制备方法在审
| 申请号： | 202211658513.2 | 申请日： | 2022-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN115832109A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 徐文州;邢国强 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能（眉山）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/06 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 郭莲梅 |
| 地址： | 620000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本申请提供一种太阳电池及其制备方法，属于太阳电池技术领域。太阳电池的制备方法包括采用气相沉积法在硅片的正面形成P型掺杂层，沉积温度为400℃～600℃。本申请的太阳电池的制备方法采用气相沉积原位掺杂的方式在硅片的正面形成P型掺杂层，且由于沉积温度仅为400℃～600℃，省去了高温掺杂的工艺，一方面可以降低载流子复合速率，饱和电流密度(J0)降低至13fA/cm |
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| 搜索关键词： | 一种 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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