[发明专利]一种量子芯片中空气桥的制备方法及超导量子芯片在审
| 申请号： | 202211671433.0 | 申请日： | 2022-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN115867116A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 郑伟文 | 申请（专利权）人： | 量子科技长三角产业创新中心 |
| 主分类号： | H10N60/01 | 分类号： | H10N60/01;H10N60/80;H10N60/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张珊珊 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市相城区青龙*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种量子芯片中空气桥的制备方法及芯片，应用于量子芯片技术领域，包括在衬底表面设置第一超导层；刻蚀第一超导层以形成共面波导结构的形貌；共面波导结构包括相互分离的端部；在形成共面波导结构之后的样品表面设置第二超导层；第二超导层覆盖共面波导结构并填入共面波导结构的间隙，第二超导层的耐蚀性低于第一超导层的耐蚀性；基于第二超导层，设置与第一超导层连接的空气桥；空气桥的耐蚀性高于第二超导层的耐蚀性；通过选择性刻蚀液去除第二超导层。将第二超导层作为牺牲层制作空气桥，即使在释放牺牲层后仍有残留，也不会对电路性能产生很大影响，从而可以降低对电路性能的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 芯片 空气 制备 方法 超导 | ||
【主权项】：
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