[发明专利]半导体器件及其制备方法、电力变换装置在审
| 申请号： | 202211679354.4 | 申请日： | 2022-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN116130512A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 王辉;朱利恒;余开庆;蔡海;丁杰;何逸涛;覃荣震;肖强;罗海辉 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/739;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/331;H01L29/16;H02M1/00 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 郑哲琦;吴昊 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体器件及其制备方法、电力变换装置。该半导体器件，包括：半导体层，具有彼此相对的第一侧表面和第二侧表面面，半导体层被划分出用于构造晶体管的晶体管区和用于构造二极管的二极管区，半导体层包括位于其第一侧表面中晶体管区所处区域内侧的多个源区；多个第一沟槽，设置在半导体层的第一侧表面中晶体管区所处区域上，多个第一沟槽内部分别设置栅极结构，栅极结构与源区相连；多个第二沟槽，设置在半导体层的第一侧表面中二极管区所处区域上，多个第二沟槽内部分别设置虚设栅极结构；第一电极，设置在半导体层的第一侧表面上，与多个源区导电接触，与栅极结构之间由层间介质层隔开，且与虚设栅极结构导电接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 电力 变换 装置 | ||
【主权项】：
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