[发明专利]密闭多孔的苯并噁嗪树脂基低介电材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种密闭多孔的苯并噁嗪树脂基低介电材料的制备方法，该制备方法包括如下步骤：将制备的聚α‑甲基苯乙烯星型聚合物与特定结构的苯并噁嗪按照一定比例溶解在适当的溶剂中形成均匀的真溶液，真空脱泡后浇注到预热的模具中梯度升温固化，在固化过程中热分解温度低的聚α‑甲基苯乙烯星型聚合物（聚合上限温度Tc=61oC）发生热分解后形成孔径均一的密闭孔，得到密闭多孔的苯并噁嗪树脂基低介电材料。通过本发明制备的密闭多孔材料的孔径分布均一，孔隙分布均匀，具有低介电常数和高击穿强度，且兼具优异的力学强度和尺寸稳定性，可用于高频覆铜板领域。