[发明专利]一种六方相五氧化二钽单晶薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202211691950.4 | 申请日： | 2022-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN116024659A | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 马啸尘 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B29/64;C30B25/18;C30B25/16 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 王兆波 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种六方相五氧化二钽单晶薄膜的制备方法，属于光电子信息功能材料技术领域。用乙醇钽作为有机金属化合物材料，以高纯氧气作为氧化气体，采用金属有机物化学气相沉积设备在六方结构的氟化镧单晶衬底上制备出无孪晶的六方相五氧化二钽单晶薄膜。本发明所制备的六方相五氧化二钽单晶薄膜材料具有单晶质量高、稳定性好，因此在半导体器件领域具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 六方相五 氧化 二钽单晶 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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