[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202211696459.0 | 申请日： | 2022-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN116936509A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 曹正翰;蔡佳琪 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L21/60;H01L21/335;H01L23/488;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 朱颖;黄健 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括碳化硅线路板、氮化镓装置以及硅集成电路装置。碳化硅线路板包括碳化硅衬底以及位于碳化硅衬底上方的电路结构。氮化镓装置包括蓝宝石衬底、位于所述蓝宝石衬底上的氮化镓元件以及位于所述氮化镓元件上的第一重布线结构。硅集成电路装置包括硅衬底、位于硅衬底上的场效晶体管元件以及位于场效晶体管元件上的第二重布线结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于环球晶圆股份有限公司，未经环球晶圆股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211696459.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
