[发明专利]一种增强型氮化镓器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202211698317.8 | 申请日： | 2022-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN116013958A | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 曹艳荣;王志恒;吕航航;马毛旦;许晟瑞;吕玲;习鹤;郑雪峰;陈川;张新祥;吴琳姗;马晓华 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/423;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 勾慧敏 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种增强型氮化镓器件结构及其制备方法，结构包括：衬底层；GaN缓冲层，位于衬底层之上；AlGaN势垒层，位于GaN缓冲层之上，AlGaN势垒层的凹槽结构包括相通的第一凹槽和第二凹槽；第一P型氮化镓栅帽层、第二P型氮化镓栅帽层设置在凹槽结构中；栅电极位于P型氮化镓栅帽层之上；源电极和漏电极位于AlGaN势垒层上表面的两端；钝化层位于AlGaN势垒层之上；栅场板位于钝化层之上。本发明的增强型氮化镓器件结构避免了削弱器件栅控能力的问题，兼顾了器件的优秀输出特性与较高的阈值电压，较好地保留了氮化镓器件高温稳定性好、载流子迁移率高的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 氮化 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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