[发明专利]一种超低插损非易失光子神经突触器件在审
| 申请号： | 202211716967.0 | 申请日： | 2022-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN116205280A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 王健;权志强 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G06N3/067 | 分类号： | G06N3/067;G02F1/00;G02F1/01;G06N3/045 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 徐美琳 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超低插损非易失光子神经突触器件，属于光计算领域。包括衬底、布拉格光栅、加热区，布拉格光栅由相变材料和波导共同组成，相变材料周期排布于波导内部，加热区位于布拉格光栅外侧，其面积覆盖相变材料与波导，波导中的基模在经过布拉格光栅时发生周期性反射，其中满足相位匹配条件的基模可以实现低损耗传输，调节布拉格光栅中相变材料的结晶程度实现对波导透射率的调制，进一步通过布拉格光栅中相变材料的周期、占空比以及调制区域的长度以实现在不同相态(晶态，非晶态)下器件拥有最大的归一化强度输出范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超低插损非易失 光子 神经 突触 器件 | ||
【主权项】：
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