[发明专利]光学临近效应修正方法及装置、存储介质、终端在审
申请号: | 202211724451.0 | 申请日: | 2022-12-30 |
公开(公告)号: | CN116224707A | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 请求不公布姓名 | 申请(专利权)人: | 全芯智造技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F7/20;G06N3/0464 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张英英 |
地址: | 230088 安徽省合肥市高新区*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种光学临近效应修正方法及装置、存储介质、终端,所述方法包括:对待修正版图中的各个待修正图形进行分割,每个待修正图形的每条边被分割为一条或多条线段;确定每条线段的第一数量条邻近线段;确定每一条线段的节点信息,所述节点信息包括线段的类型以及该线段的各条邻近线段与该线段之间的距离,并基于各条线段的节点信息采用卷积神经网络模型输出各条线段的修正移动信息;基于修正移动信息构建修正后的版图。本发明可以提高修正移动信息的准确性,并且有效降低处理成本。 | ||
搜索关键词: | 光学 临近 效应 修正 方法 装置 存储 介质 终端 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备