[发明专利]比接触电阻检测样品的制备方法及比接触电阻检测样品在审
| 申请号： | 202211734844.X | 申请日： | 2022-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN115979757A | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 魏晓光;朱涛;焦倩倩;董佳俊;王锐;阎海亮;李嘉琳;李青岭;李玲;金锐;杨霏 | 申请（专利权）人： | 国网智能电网研究院有限公司;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;H01L23/544;G01N1/32;G01N1/44 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种比接触电阻检测样品的制备方法及比接触电阻检测样品，包括：在清洗后的SiC晶圆表面沉积介质膜；在所述介质膜表面旋涂光刻胶，并对所述光刻胶进行预处理，形成具有预设图案的光刻胶膜，基于所述光刻胶膜对所述介质膜进行腐蚀处理，去除光刻胶膜，形成具有预设图案的介质膜；基于所述介质膜沉积金属层，在预设温度中对金属层进行激光退火处理；通过金属腐蚀液对激光退火后的金属层进行腐蚀处理，得到比接触电阻检测样品。本发明通过在进行光刻处理后的具有预设图案的介质膜上沉积金属层，然后优化了比接触电阻检测样品的制备过程，提升比接触电阻金属区退火均匀性，从而得到较准确的欧姆接触比接触电阻，从而有效的评估激光退火欧姆接触工艺效果。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 电阻 检测 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
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