[发明专利]一种RC-IGBT的正面结构在审
| 申请号： | 202211735236.0 | 申请日： | 2022-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN116072720A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 郭亚楠;陈宏;刘洋;皮彬彬;刁绅 | 申请（专利权）人： | 江苏易矽科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 无锡睿升知识产权代理事务所(普通合伙) 32376 | 代理人： | 张悦 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市滨*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种RC‑IGBT的正面结构，属于半导体器件制造技术领域。本发明通过在逆导型绝缘栅双极型晶体管中采用假栅结构以及在假栅之间引入了相互交替的NP注入，优化了绝缘栅双极型晶体管的短路能力以及饱和压降与关断损耗折衷性能等器件参数，并且实现了对二极管导通损耗、反向恢复损耗以及绝缘栅双极型晶体管输入电容、输出电容等参数的调节。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 rc igbt 正面 结构 | ||
【主权项】：
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