[发明专利]含双官能团添加剂的钙钛矿薄膜、发光二极管、制备方法

摘要

本公开提供了一种含双官能团添加剂的钙钛矿薄膜、发光二极管及其制备方法，其中，双官能团添加剂具有如式(1)所示的结构：其中，A1选自C1‑C5的烷基；X选自含N、O、F、Cl、Br、I中至少一种孤对电子基团，孤对电子基团与式(1)中氨基形成分子间氢键自组装结构作为物理间隔层，抑制电荷传输层界面低能态激基复合物的产生而导致的钙钛矿薄膜非辐射能量的损失，孤对电子能够钝化因卤化物空缺造成的不饱和铅悬空键，减少钙钛矿薄膜中的缺陷。利用添加剂中氨基与钙钛矿体系中甲脒氢碘酸盐的氨基之间形成的氢键或分子间作用力，减缓钙钛矿成膜过程中晶粒生长，进而诱导FAPbI3钙钛矿薄膜具有更高的结晶度，提高了薄膜的质量和发光效率。